光敏二极管芯片的有效区域尺寸从 0.1 毫米到 3.0 毫米不等，可以针对特定应用优化选择低暗电流、高速、光灵敏度和其他检测器特性。InGaAs 光电二极管应用包括光纤和自由空间光通信、医疗诊断(葡萄糖和血气)、NIR-SWIR 监测、IR 激光对准、红外位置感测、光谱学、色谱法和化学分析。

光敏二极管一、定制封装

光敏二极管均未使用或不需要集成热电 (TE) 冷却，以降低成本并提高整体效率。但是，TE 冷却器、互阻抗放大器 (TIA) 和其他组件可以与我们的 InGaAs 探测器一起定制封装，用于特殊应用。除了 InGaAs PIN 光敏二极管外，Marktech 还提供晶圆代工服务，用于 1.0 um 至 2.6 um 范围内的 SWIR 晶圆外延生长，使用 InP 材料作为基础衬底。Marktech 目前正在生产这些直径为 2 英寸、3 英寸和 4 英寸的高可靠性晶圆。这些晶圆的应用包括光敏探测器、线性阵列和图像传感器。使用我们的外延晶圆加工的光电探测器具有显着优势，包括更低的暗电流、更好的分流电阻以及在较低工作温度下的改进性能。

光敏二极管二、模压塑料通孔

光敏二极管提供各种封装类型，例如密封金属罐(TO-5、TO-18、TO-39 和 TO-46)、陶瓷 SAW 封装、尾纤金属罐、3mm 模压塑料通孔(扁平透镜或圆顶陶瓷)，以及 Marktech 最新的增强型封装系统——缝焊表面贴装器件 (SMD) ATLAS 封装。我们密封的 ATLAS 封装中的 InGaAs 探测器具有出色的防氧气和防潮?；?。紧凑的 SMD 外形非常适合大批量生产。此外，ATLAS 封装的 InGaAs 检测器外形小巧，可用于可穿戴应用。我们还可以将光电探测器芯片集成到定制设计的组件中。

光敏二极管三、性能

除了 InGaAs 红外探测器外，Marktech 还提供一系列标准硅探测器，例如光电二极管 (SiPD)、光电晶体管和雪崩光电二极管。我们的硅探测器具有 400 nm 至 1100 nm 的光谱灵敏度，适用于光学开关、Vis-NIR 传感、位置传感、激光对准、光和激光监测、光谱学、血氧测定以及其他需要高速、一致和高灵敏度的应用可靠性能。标准光伏硅光电二极管：光谱灵敏度在 400nm 至 1100nm 范围内，适用于光谱设备和任何需要宽带灵敏度的光传感应用，并在蓝/绿区域进行增强。紫外增强型硅光电二极管具有低至 254nm 的灵敏度。

光敏二极管四、高灵敏度

硅光电晶体管： 400nm 至 1100nm 范围内的光谱灵敏度，适用于需要极高灵敏度、均匀响应和更高可靠性的应用，例如读卡器和光学传感器。硅雪崩光敏二极管 (Si APD's)：用于 NIR 光谱中的高速低光检测，针对 800nm 或 905nm 峰值响应进行了优化。InGaAs PIN 光电二极管：高灵敏度和高可靠性，光谱灵敏度在 600nm – 2600nm 范围内。我们的 InGaAs 探测器非常适合医疗诊断、化学分析、位置传感、Vis-NIR-SWIR 宽带传感和光通信设备。InGaAs-硅双二极管：从 254nm 到 2600nm 的光谱灵敏度取决于放置在同一封装中的特定 InGaAs 和硅光敏二极管。

光敏二极管五、放大器

光电二极管放大器通常采用 JFET 运算放大器，因为它们的偏置电流较低;然而，当需要精度时，JFET 运算放大器通常由于其相对较高的输入失调电压和漂移而无法满足要求。LT1880 提供高精度和极低的偏置电流(I。反馈电容器，CLT1880 以非常低的偏置电流(I B = 150 ，因此适用于这项要求苛刻的任务。图 429.3显示了配置为跨阻光电二极管放大器的 LT1880?？缱柙鲆嬗?R F设置为 51.1kΩ F可以根据需要尽可能大，或者可以选择它以获得最大平坦响应和给定光电二极管电容 C 的最高可能带宽D. _ 图 429.4显示了 C 的图表F和上升时间与 CD以获得最大平坦响应。总输出失调低于 262μV，在最坏情况下，在整个温度范围内(0°C 至 70°C)。对于 5V 输出摆幅，这意味着最小 86dB 动态范围，在整个温度(0°C 至 70°C)范围内持续，以及 98μA 的满量程光电二极管电流。

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